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碳化硅外延設(shè)備
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開放式卷對(duì)卷石墨烯制備設(shè)備
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SKY-P42R05(8”x2)
碳化硅外延設(shè)備是用于碳化硅芯片生產(chǎn)的核心環(huán)節(jié)—外延層生長的專用設(shè)備,這一過程是制造電力電子器件,如二極管、功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵步驟。納設(shè)智能全自動(dòng)雙腔設(shè)備采用創(chuàng)新的雙反應(yīng)腔協(xié)同設(shè)計(jì),通過模塊化腔體結(jié)構(gòu)和智能控制系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)雙腔同步運(yùn)行與工藝參數(shù)獨(dú)立調(diào)控,為規(guī)?;慨a(chǎn)提供了更優(yōu)解決方案。
智能制造 兼容AGV&天車,可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化配套; 配置NH3、N2、TMAL模塊,可自由組合,滿足不同產(chǎn)品規(guī)格。 自主安全 通過SEMI認(rèn)證,符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范; 具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),具有獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
SKY-P40R02(8”x1)
納設(shè)智能碳化硅外延單腔系統(tǒng)采用水平熱壁的技術(shù)路線實(shí)現(xiàn)外延生長,獨(dú)創(chuàng)的反應(yīng)腔室設(shè)計(jì)配備可獨(dú)立控制的多區(qū)進(jìn)氣系統(tǒng),顯著提升了外延片的均勻性,同時(shí)降低外延缺陷率。
反應(yīng)腔室 石墨腔室配件數(shù)量少,結(jié)構(gòu)更簡化;? 腔室進(jìn)氣/傳片方式獨(dú)特,減少外延掉落物。 尾氣系統(tǒng) 維護(hù)僅打磨平板石墨件,方便配件的清理操作;? 維護(hù)無需分離傳輸腔,只打開腔室后端法蘭,維護(hù)簡易。 氣體系統(tǒng) 5區(qū)進(jìn)氣,乙烯/三氯氫硅每區(qū)獨(dú)立控制;? 各區(qū)碳硅比獨(dú)立控制,調(diào)整更靈活。 晶圓控制 工藝中晶圓轉(zhuǎn)速可精確調(diào)控;? 工藝中晶圓高度位置精確調(diào)控。
SKY-P20R02(6”x1)
納設(shè)智能的6英寸碳化硅外延設(shè)備,采用水平熱壁技術(shù)路線實(shí)現(xiàn)單片式生長,兼容6英寸、4英寸外延片,設(shè)備性能可靠,已穩(wěn)定量產(chǎn)。
精確:氣路獨(dú)立可控 ● 精湛:工藝指標(biāo)優(yōu)異 ● 低耗:耗材成本更低? ● 省時(shí):維護(hù)頻次更低? ● 進(jìn)階:NP型靈活切換
空間型原子層沉積設(shè)備
通過物理分隔反應(yīng)區(qū)實(shí)現(xiàn)空間交替:基板在移動(dòng)中依次經(jīng)過前驅(qū)體A區(qū)、惰性氣體吹掃區(qū)、前驅(qū)體B區(qū),單次循環(huán)即可完成原子層沉積。
薄膜性能:片內(nèi)/片間/批次間不均勻性<±5%,折射率不均勻性<±3%(不均勻性=(最大值-最小值)/(最大值+最小值)) 產(chǎn)品特色:A源B源氣路獨(dú)立,工藝距離可調(diào),源瓶壓力可控,自動(dòng)傳片及取片,可擴(kuò)展腔體及氣路數(shù)量,支持客戶定制
時(shí)間型原子層沉積設(shè)備
采用時(shí)間順序交替引入前驅(qū)體,在單一反應(yīng)腔內(nèi)完成循環(huán):前驅(qū)體A脈沖→抽空→前驅(qū)體B脈沖→抽空
薄膜性能:片內(nèi)/片間/批次間不均勻性<±5%,折射率不均勻性<±3%(不均勻性=(最大值-最小值)/(最大值+最小值)) 產(chǎn)品特色:A源B源氣路獨(dú)立,工藝距離可調(diào),電動(dòng)開蓋,15英寸工業(yè)級(jí)觸摸屏, 支持客戶定制
開放式卷對(duì)卷石墨烯制備設(shè)備是一種用于大規(guī)模生產(chǎn)石墨烯薄膜的關(guān)鍵設(shè)備。這種設(shè)備采用卷對(duì)卷(roll-to-roll)的生產(chǎn)方式,即將基底材料(如聚酰亞胺薄膜、聚酯薄膜等)和石墨烯前體材料以連續(xù)的方式卷繞在輥筒之間,并在適當(dāng)?shù)臏囟群蜌夥障逻M(jìn)行熱解,使石墨烯層沉積在基底上,開放式卷對(duì)卷石墨烯制備設(shè)備可實(shí)現(xiàn)大規(guī)模、高效率的石墨烯薄膜生產(chǎn),為石墨烯在電子、光學(xué)和能源領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用提供了關(guān)鍵支持。
● 大規(guī)模生產(chǎn)能力:開放式卷對(duì)卷石墨烯制備設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)連續(xù)、高效率的生產(chǎn),適用于大規(guī)模石墨烯薄膜的制備。 ● 高質(zhì)量石墨烯生長:通過優(yōu)化反應(yīng)條件和熱解參數(shù),設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)高質(zhì)量、均勻的石墨烯生長,具有優(yōu)異的電學(xué)和物理性能。 ● 可調(diào)控性:設(shè)備具有較高的工藝可調(diào)控性,能夠調(diào)整石墨烯的厚度、晶格結(jié)構(gòu)和形貌,以滿足不同應(yīng)用的需求。
科研級(jí)MOCVD設(shè)備
化學(xué)氣相沉積(CVD)設(shè)備是一種關(guān)鍵的制備工具,被廣泛應(yīng)用于材料制備和表面工程領(lǐng)域。CVD設(shè)備的工作原理是通過將氣態(tài)前體物質(zhì)在恰當(dāng)?shù)臏囟取毫头磻?yīng)條件下與基底表面反應(yīng),從而形成所需的薄膜結(jié)構(gòu),在半導(dǎo)體、光電子器件、表面涂層等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
● 高質(zhì)量薄膜生長:能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)材料生長過程的精確控制 ● 高性能材料制備:可以制備出各種特定要求的功能性材料 ● 高效率生產(chǎn):能夠在相對(duì)短的時(shí)間內(nèi)完成大面積薄膜的生長 ● 廣泛應(yīng)用性:MOCVD設(shè)備廣泛應(yīng)用于LED、LD、太陽能電池等領(lǐng)域,為這些器件的制備提供了關(guān)鍵的材料基礎(chǔ)。
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